Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
STW34NM60ND
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW34NM60ND-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12873917
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STW34NM60ND Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
FDmesh™ II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2785 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW34
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-11366-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW35N60CFDFKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
486
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW35N60CFDFKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
5.80
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
38
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3-DG
PRIX UNITAIRE
17.23
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFQ50N50P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
292
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFQ50N50P3-DG
PRIX UNITAIRE
5.47
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH50N50P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
127
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH50N50P3-DG
PRIX UNITAIRE
6.10
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH44N50Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
204
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH44N50Q3-DG
PRIX UNITAIRE
13.28
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
STU7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
STF5N95K3
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
STW12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
STI12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK