Numéro de produit du fabricant:
FCD4N60TM_WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCD4N60TM_WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12847752
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SOUMETTRE
FCD4N60TM_WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
SuperFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
540 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FCD4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FCD4N60TM_WSTR
FCD4N60TM_WSCT
FCD4N60TM_WSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK6P65W,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
58
NUMÉRO DE PIÈCE
TK6P65W,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
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0.50
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4929
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PRIX UNITAIRE
1.69
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.50
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FCD4N60TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10613
NUMÉRO DE PIÈCE
FCD4N60TM-DG
PRIX UNITAIRE
0.61
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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