BSS123LT3G
Numéro de produit du fabricant:

BSS123LT3G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSS123LT3G-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaire:

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SOUMETTRE

BSS123LT3G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
20 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS123

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
BSS123LT1G, BVSS123LT1G

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSS119NH6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
42089
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS119NH6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
143884
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS123-DG
PRIX UNITAIRE
0.01
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
6000
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PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
288176
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PRIX UNITAIRE
0.02
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