Numéro de produit du fabricant:
BSS119NH6327XTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS119NH6327XTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventaire:
42089 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801363
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SOUMETTRE
BSS119NH6327XTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
20.9 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS119
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
BSS119NH6327XTSA1CT
BSS119NH6327XTSA1TR
SP000870644
BSS119NH6327XTSA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP04CN10NG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
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