BFL4001
Numéro de produit du fabricant:

BFL4001

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BFL4001-DG

Description:

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI
Description détaillée:
N-Channel 900 V 4.1A (Ta) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)

Inventaire:

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SOUMETTRE

BFL4001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FI(LS)
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
BFL40

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
BFL4001-DG
Fiches techniques
BFL4001

Informations supplémentaires

Forfait standard
100
Autres noms
2156-BFL4001-ON
ONSONSBFL4001

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
2SK3798(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
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PRIX UNITAIRE
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