2N7000TA
Numéro de produit du fabricant:

2N7000TA

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N7000TA-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

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SOUMETTRE

2N7000TA Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Box (TB)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
2N7000

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
2N7000 Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
VN10LP
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
5433
NUMÉRO DE PIÈCE
VN10LP-DG
PRIX UNITAIRE
0.26
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
VN10LPSTZ
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
VN10LPSTZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000
FABRICANT
Diotec Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
146004
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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Certification DIGI
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certification_03
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cr
certification_015
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