Numéro de produit du fabricant:
2N7000
Product Overview
Fabricant:
Diotec Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7000-DG
Description:
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventaire:
146004 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977934
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SOUMETTRE
2N7000 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diotec Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
4878-2N7000TR
2796-2N7000TR-DG
4878-2N7000CT
2796-2N7000TR
4878-2N7000DKR
4878-2N7000DKRINACTIVE
4878-2N7000DKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
XPN12006NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
SCT4026DEC11
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
