PMCM6501VPEZ

Numéro de produit du fabricant:

PMCM6501VPEZ

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMCM6501VPEZ-DG

Description:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Description détaillée:

P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)

Inventaire:

7773886 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12947728

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SOUMETTRE

PMCM6501VPEZ Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

NXP Semiconductors

Emballage

Bulk

Série

-

État du produit

Active

FET Type

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

12 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

rds activé (max) @ id, vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29.4 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

1400 pF @ 6 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

6-WLCSP (1.48x0.98)

Emballage / Caisse

6-XFBGA, WLCSP

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

PMCM6501VPEZ-DG

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

1,528

Autres noms

NEXNEXPMCM6501VPEZ

2156-PMCM6501VPEZ-NEX

Classification environnementale et d'exportation

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produits Connexes

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MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK

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