PH1225AL,115
Numéro de produit du fabricant:

PH1225AL,115

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PH1225AL,115-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 25 V 100A (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8

Inventaire:

24733 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947801
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SOUMETTRE

PH1225AL,115 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6380 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56; Power-SO8
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,268
Autres noms
2156-PH1225AL,115
NEXNEXPH1225AL,115

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
stmicroelectronics

STW50N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

infineon-technologies

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

comchip-technology

ACMSN2312T-HF

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

siliconix

ND2012L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI