Numéro de produit du fabricant:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PHE13009/DG,127-DG
Description:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventaire:
3680 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947849
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SOUMETTRE
PHE13009/DG,127 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
12 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
8 @ 5A, 5V
Puissance - Max
80 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
912
Autres noms
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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