PHE13003C,126
Numéro de produit du fabricant:

PHE13003C,126

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PHE13003C,126-DG

Description:

NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 2.1 W Through Hole TO-92-3

Inventaire:

5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947895
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SOUMETTRE

PHE13003C,126 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1.5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
5 @ 1A, 2V
Puissance - Max
2.1 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,963
Autres noms
WENNXPPHE13003C,126
2156-PHE13003C,126

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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