BUK7660-100A,118
Numéro de produit du fabricant:

BUK7660-100A,118

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BUK7660-100A,118-DG

Description:

NEXPERIA BUK7660 - N-CHANNEL TRE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

4800 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12968098
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

BUK7660-100A,118 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1377 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
106W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
503
Autres noms
2156-BUK7660-100A,118-954

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
transphorm

TP65H035G4WSQA

650 V 46.5 GAN FET

fairchild-semiconductor

IRFS630B

9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF

sanyo

CPH3331-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN

vishay-siliconix

SIR5802DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE