Numéro de produit du fabricant:
BUK7507-30B,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK7507-30B,127-DG
Description:
PFET, 75A I(D), 30V, 0.007OHM, 1
Description détaillée:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
4611 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975903
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SOUMETTRE
BUK7507-30B,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Tube
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2427 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
157W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
740
Autres noms
2156-BUK7507-30B127
NEXNXPBUK7507-30B,127
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
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