Numéro de produit du fabricant:
IRFD220
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD220-DG
Description:
0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Inventaire:
913 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975908
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SOUMETTRE
IRFD220 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 480mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
260 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD220
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
579
Autres noms
2156-IRFD220
HARHARIRFD220
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
TSG65N195CE RVG
650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
STWA45N60DM2AG
PTD HIGH VOLTAGE
