Numéro de produit du fabricant:
PXP012-30QLJ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PXP012-30QLJ-DG
Description:
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8.9A (Ta), 38.8A (Tc) 1.7W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount MLPAK33
Inventaire:
7256 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997487
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SOUMETTRE
PXP012-30QLJ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 38.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta), 32W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MLPAK33
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
934663638118
5202-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJDKR
1727-PXP012-30QLJCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FBG10N30BC
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
