Numéro de produit du fabricant:
FDC638P-P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDC638P-P-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventaire:
12997490
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SOUMETTRE
FDC638P-P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1160 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC638
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDC638P-PTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC638P
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
4802
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC638P-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
CMS23P04D-HF
MOSFET P-CH 40V 23A DPAK
PH6030DLV-CBSNX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
