FDP8030L
Numéro de produit du fabricant:

FDP8030L

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDP8030L-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

6859 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946418
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SOUMETTRE

FDP8030L Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10500 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
187W (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
FDP8030L Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
59
Autres noms
FAIFSCFDP8030L
2156-FDP8030L

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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