Numéro de produit du fabricant:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN1R9-40PL,127-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12947725
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PSMN1R9-40PL,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
349W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PSMN1R9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
173
Autres noms
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Classification environnementale et d'exportation
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
PMCM6501VPEZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
CMS07P10V8-HF
MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK
A2N7002HL-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3
