PMV65XP/MIR
Numéro de produit du fabricant:

PMV65XP/MIR

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMV65XP/MIR-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventaire:

12831152
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SOUMETTRE

PMV65XP/MIR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
744 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
934068504215

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PMV65XP,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
276273
NUMÉRO DE PIÈCE
PMV65XP,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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