Numéro de produit du fabricant:
BSH205G2R
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSH205G2R-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
93115 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12831155
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SOUMETTRE
BSH205G2R Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
170mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
418 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
480mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSH205
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-2247-6
1727-2247-2
1727-2247-1
5202-BSH205G2RTR
568-12533-1
568-12533-2
568-12533-6-DG
568-12533-6
568-12533-2-DG
934068496215
568-12533-1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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