PMPB15ENEX
Numéro de produit du fabricant:

PMPB15ENEX

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMPB15ENEX-DG

Description:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount DFN2020MD-6

Inventaire:

2970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12994046
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SOUMETTRE

PMPB15ENEX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
440 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020MD-6
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
PMPB15

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
5202-PMPB15ENEXTR
1727-PMPB15ENEXCT
934665364115
1727-PMPB15ENEXTR
1727-PMPB15ENEXDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
goford-semiconductor

G170P03D3

P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-

diodes

DMTH15H017LPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

goford-semiconductor

G080P06T

MOSFET P-CH 60V 195A TO-220