G080P06T
Numéro de produit du fabricant:

G080P06T

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G080P06T-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Description détaillée:
P-Channel 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

10000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12994061
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SOUMETTRE

G080P06T Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
195A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
294W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
4822-G080P06T

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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