Numéro de produit du fabricant:
PHT6NQ10T,135
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PHT6NQ10T,135-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
4949 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12881438
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SOUMETTRE
PHT6NQ10T,135 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
633 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
PHT6NQ10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
PHT6NQ10T135
2166-PHT6NQ10T,135-1727
568-6791-2-DG
568-6791-6-DG
934055876135
5202-PHT6NQ10T,135TR
PHT6NQ10T,135-DG
568-6791-2
PHT6NQ10T /T3
568-6791-1
PHT6NQ10T /T3-DG
1727-5352-6
568-6791-1-DG
568-6791-6
1727-5352-1
1727-5352-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDT3612
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
20218
NUMÉRO DE PIÈCE
FDT3612-DG
PRIX UNITAIRE
0.21
TYPE DE SUBSTITUT
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