Numéro de produit du fabricant:
IRFD9220PBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD9220PBF-DG
Description:
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Description détaillée:
P-Channel 200 V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
12881521
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRFD9220PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
560mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
340 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD9220
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
2266-IRFD9220PBF
*IRFD9220PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
STP5N62K3
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
STH110N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
