Numéro de produit du fabricant:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PHB18NQ10T,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12831556
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SOUMETTRE
PHB18NQ10T,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
633 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
PHB18NQ10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540SPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2846
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540SPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.90
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PRIX UNITAIRE
1.09
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