BSC0909NSATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSC0909NSATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSC0909NSATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventaire:

12940 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12831583
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SOUMETTRE

BSC0909NSATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
34 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1110 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-5
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC0909

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC0909NSCT
BSC0909NS
BSC0909NSDKR
BSC0909NSATMA1DKR-DGTR-DG
BSC0909NSATMA1DKR
BSC0909NSCT-DG
BSC0909NSDKR-DG
BSC0909NSTR-DG
IFEINFBSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1TR
SP000832576
BSC0909NSATMA1CT
BSC0909NSTR
BSC0909NSATMA1CT-DGTR-DG
2156-BSC0909NSATMA1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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