Numéro de produit du fabricant:
PH3120L,115
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PH3120L,115-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
12830882
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SOUMETTRE
PH3120L,115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4457 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
568-2178-6
568-2178-1
568-2178-2
1727-3052-1
1727-3052-2
934057822115
1727-3052-6
568-2178-2-DG
NEXNEXPH3120L,115
PH3120L T/R
568-2178-6-DG
568-2178-1-DG
2156-PH3120L115
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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