Numéro de produit du fabricant:
PSMN3R3-80ES,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN3R3-80ES,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12830886
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SOUMETTRE
PSMN3R3-80ES,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9961 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
338W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
PSMN3R380ES127
568-8598-5
934066133127
1727-6502
568-8598-5-DG
2166-PSMN3R3-80ES,127-1727
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R3-80ES,127
FABRICANT
NXP USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1415
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R3-80ES,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.35
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R3-80PS,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
10525
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R3-80PS,127-DG
PRIX UNITAIRE
2.02
TYPE DE SUBSTITUT
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