Numéro de produit du fabricant:
NXV100XPR
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NXV100XPR-DG
Description:
NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Description détaillée:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
20333 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12985615
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SOUMETTRE
NXV100XPR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
354 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-NXV100XPRCT
1727-NXV100XPRTR
934661666215
1727-NXV100XPRDKR
5202-NXV100XPRTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
