BSS139IXTMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSS139IXTMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSS139IXTMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5

Inventaire:

12985628
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SOUMETTRE

BSS139IXTMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT23-3-5
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS139

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
448-BSS139IXTMA1TR
SP005558631
448-BSS139IXTMA1CT
448-BSS139IXTMA1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSS139IXTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
34923
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS139IXTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
stmicroelectronics

SCT040H65G3AG

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

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