Numéro de produit du fabricant:
GAN3R2-100CBEAZ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GAN3R2-100CBEAZ-DG
Description:
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 60A 394W Surface Mount 8-WLCSP (3.5x2.13)
Inventaire:
1076 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13005796
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SOUMETTRE
GAN3R2-100CBEAZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
394W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-WLCSP (3.5x2.13)
Emballage / Caisse
8-XFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base
GAN3R2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
1727-GAN3R2-100CBEAZDKR
5202-GAN3R2-100CBEAZTR
934665899341
1727-GAN3R2-100CBEAZCT
1727-GAN3R2-100CBEAZTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R6061YNZ4C13
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
