Numéro de produit du fabricant:
R6061YNZ4C13
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6061YNZ4C13-DG
Description:
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 568W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
596 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13005798
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SOUMETTRE
R6061YNZ4C13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 3.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3700 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
568W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6061
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-R6061YNZ4C13
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE