BUK9675-55A118
Numéro de produit du fabricant:

BUK9675-55A118

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BUK9675-55A118-DG

Description:

NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55
Description détaillée:
N-Channel 55 V 20A (Ta) 62W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

12946148
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SOUMETTRE

BUK9675-55A118 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
68mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
643 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
595
Autres noms
2156-BUK9675-55A118-NEX
NEXNEXBUK9675-55A118

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FCPF11N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

renesas-electronics-america

2SJ361RYTR-E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

stmicroelectronics

STP3NK60ZFP

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP

fairchild-semiconductor

FCH25N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2