BUK7Y10-30B,115
Numéro de produit du fabricant:

BUK7Y10-30B,115

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BUK7Y10-30B,115-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 30 V 67A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventaire:

12915360
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

BUK7Y10-30B,115 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1183 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
568-5512-2-DG
1727-4602-6
568-5512-6
1727-4602-2
1727-4602-1
568-5512-6-DG
568-5512-1
568-5512-2
934063316115
BUK7Y1030B115
568-5512-1-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

littelfuse

MCB60I1200TZ

1200V 90A SIC POWER MOSFET

vishay-siliconix

IRFPG40

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3

vishay-siliconix

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO