Numéro de produit du fabricant:
IRFPG40
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFPG40-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaire:
12915365
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SOUMETTRE
IRFPG40 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRFPG40
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
*IRFPG40
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH3N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH3N100P-DG
PRIX UNITAIRE
3.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STW5NK100Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
164
NUMÉRO DE PIÈCE
STW5NK100Z-DG
PRIX UNITAIRE
2.01
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPG40PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
241
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPG40PBF-DG
PRIX UNITAIRE
2.46
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
