2N7002KQBZ
Numéro de produit du fabricant:

2N7002KQBZ

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N7002KQBZ-DG

Description:

2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 720mA (Ta) 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank DFN1110D-3

Inventaire:

12393 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12999645
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SOUMETTRE

2N7002KQBZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
720mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
850mOhm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
28 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1110D-3
Emballage / Caisse
3-XDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
2N7002

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
5202-2N7002KQBZTR
1727-2N7002KQBZTR
934662647147
1727-2N7002KQBZCT
1727-2N7002KQBZDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

CPH3425-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

goford-semiconductor

G16P03S

P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18

diodes

DMTH10H015SK3Q-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

goford-semiconductor

G3404B

N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M