Numéro de produit du fabricant:
G16P03S
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G16P03S-DG
Description:
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Description détaillée:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
3090 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12999648
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SOUMETTRE
G16P03S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G16P03STR
3141-G16P03SDKR
3141-G16P03STR
3141-G16P03SCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH10H015SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
G3404B
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
TSM7P06CP
-60V, -7A, SINGLE P-CHANNEL POWE
