Numéro de produit du fabricant:
2N6796
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N6796-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Description détaillée:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaire:
13247001
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SOUMETTRE
2N6796 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AF Metal Can
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2N6796-ND
150-2N6796
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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