Numéro de produit du fabricant:
APTC60DAM35T1G
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APTC60DAM35T1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Description détaillée:
N-Channel 600 V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventaire:
13247119
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SOUMETTRE
APTC60DAM35T1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
72A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 5.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
518 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
416W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SP1
Emballage / Caisse
SP1
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
APTC60DAM35T1G-ND
150-APTC60DAM35T1G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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