Numéro de produit du fabricant:
VP2110K1-G
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VP2110K1-G-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Description détaillée:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventaire:
12199 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818423
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SOUMETTRE
VP2110K1-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB (SOT23)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
VP2110
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Conception/spécification PCN
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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