IRF3709
Numéro de produit du fabricant:

IRF3709

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF3709-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

12818445
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SOUMETTRE

IRF3709 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2672 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
*IRF3709

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4699
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R0-30PL,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
9215
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R0-30PL,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.11
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLB8721PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
18825
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLB8721PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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