Numéro de produit du fabricant:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP5335MF-G-VAO-DG
Description:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Description détaillée:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventaire:
13004384
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SOUMETTRE
TP5335MF-G-VAO Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
350 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
110 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-VDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
TP5335
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
150-TP5335MF-G-VAOTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
