Numéro de produit du fabricant:
GT090N06S
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT090N06S-DG
Description:
N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Description détaillée:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
13004408
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SOUMETTRE
GT090N06S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1378 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
3141-GT090N06STR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
GSFC0603
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
AUIRFR8403TRLARMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPB180P04P4L02AUMA2
MOSFET