LND250K1-G
Numéro de produit du fabricant:

LND250K1-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

LND250K1-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
Description détaillée:
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Inventaire:

15643 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13033833
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

LND250K1-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23 (TO-236AB)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
LND250

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Assemblage/origine PCN
Conception/spécification PCN

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
LND250K1-GTR
LND250K1-GCT
LND250K1-G-ND
LND250K1-GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
texas-instruments

CSD18510Q5B

MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

texas-instruments

CSD17559Q5

MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON

microchip-technology

2N6660

MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

texas-instruments

CSD23202W10

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA