Numéro de produit du fabricant:
2N6660
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N6660-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Description détaillée:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaire:
2405 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13036055
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SOUMETTRE
2N6660 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bag
Série
-
Emballage
Bag
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
410mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 24 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Assemblage/origine PCN
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
2N6660MC
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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