Numéro de produit du fabricant:
APT8M100B
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT8M100B-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventaire:
37 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13254280
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SOUMETTRE
APT8M100B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1885 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 [B]
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
APT8M100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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