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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
APT8M80K
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT8M80K-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Description détaillée:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventaire:
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13254378
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SOUMETTRE
APT8M80K Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
POWER MOS 8™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1335 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 [K]
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
APT8M80K-ND
150-APT8M80K
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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