Numéro de produit du fabricant:
IXTY08N50D2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTY08N50D2-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Description détaillée:
N-Channel 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
4655 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12819778
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SOUMETTRE
IXTY08N50D2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Depletion
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
4.6Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
312 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IXTY08
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Autres noms
Q14817718
238-IXTY08N50D2-CRL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXFH26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXTP26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
IXTU08N100P
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251
