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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXFH26N50
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH26N50-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventaire:
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12819779
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SOUMETTRE
IXFH26N50 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH26
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IXFH26N50-DG
Fiches techniques
IXFH26N50
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFH26N50-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP32N50KPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
11
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP32N50KPBF-DG
PRIX UNITAIRE
4.38
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PRIX UNITAIRE
2.56
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QUANTITÉ DISPONIBLE
144
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PRIX UNITAIRE
3.81
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PRIX UNITAIRE
1.58
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PRIX UNITAIRE
2.16
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