IXTY02N50D
Numéro de produit du fabricant:

IXTY02N50D

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTY02N50D-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Description détaillée:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

86 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12915863
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IXTY02N50D Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Depletion
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
120 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IXTY02

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
70

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SI4896DY-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO

vishay-siliconix

SQD10950E_GE3

MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA

vishay-siliconix

SI6463BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

vishay-siliconix

SI4842BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 28A 8SO